作者：王跃林,郑心畲,李志坚 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》1988年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ1988040100 DOC编号：DOCGTDZ1988040109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 一、引言 硅压力传感器已被广泛用于汽车、控制及生物测量等领域。由于工艺难度大，压力传感器的应变膜尺寸通常大于1&#215；1mm。膜主要用各向异性腐蚀技术形成，需从硅片背面减薄，这样就需要双面光刻。为提高精度，必须增加特殊设备。而这一工艺有明显的不足，与IC工艺兼容性差，硅片利用率低，对制造大规模集成压力传感器，高密度的压力传感器阵列有一定困难。

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