作者：黄明程,张家慰,商陆民 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1987年第Z1期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1987Z11490 DOC编号：DOCCGQJ1987Z11499 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 目前，半导体力敏传感器大多采用在n型硅单晶上进行硼注入或硼扩散，形成四个扩散电阻，将这四个扩散电阻连接成惠斯登电桥，当无压力作用在硅片时，理想情况电桥输出为零，当有压力作用时，电桥平衡被打破，输出信号的大小由压力决定。由于该力敏传感器利用p-n结隔离方式进行工作，因此，该力敏传感

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