《离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——Ⅰ.PVC膜高锰酸根半导体传感器》PDF+DOC
作者:黄强
,李智民
单位:渭南师范学院
出版:《渭南师范学院学报》1988年第01期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFWOLF1988010200
DOC编号:DOCWOLF1988010209
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本文报导的高锰酸根半导体传感器(简称MnO_4~-—ISFET)是以乙基紫—MnO_4~-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、
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