作者：孙志君 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》1986年第03期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG1986030230 DOC编号：DOCBDTG1986030239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 据《IEEE Trans ED》Vol.ED-32.№.8.(1985)报导： 美国线阵CCPD器件的研制有了新的进展，Xerox公司已研制出单芯片像素多达5732元的线阵CCPD图像传感器。这种器件虽也采用标准的二层多晶硅栅结构工艺和四线CCD结构形式，但光敏区的设计却是新颖的，其光敏区光电二极管阵列的排列分为奇偶二行错开分布，器件密度高，性能优良。其主要特点和性能参数如下：

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