作者:骆如枋,陆玉萍 单位:光明化工研究设计院 出版:《低温与特气》1988年第03期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDWTQ1988030240 DOC编号:DOCDWTQ1988030249 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 该传感器系以低阻单晶 Si 为衬底(兼下电极)、透水 Au 膜为上电极、多孔 Al_2O_3为介质的 MOS 电容结构。外界气相中的水分子透过 Au 膜上电极,为 Al_2O_3孔壁所吸附,并与外界水分压达成动态吸-脱附平衡,传感器就有稳定的电容值。外界湿度(水含量)变化时,Al_2O_3孔壁吸附的水分

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