《具有亚毫微米分辨率的光电位移传感器》PDF+DOC
作者:梁建成
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1988年第05期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ1988050090
DOC编号:DOCCGQJ1988050099
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《分辨率为亚纳米级的光电位移传感器》PDF+DOC1989年第02期 N.Ikawa S.Shimada,H.Morooka,臧新村
《具有毫微米分辨率的光电位移传感器》PDF+DOC1988年第02期 高振
《具有纳米分辨率的光电位移传感器》PDF+DOC1988年第10期 祝沪锦
《光纤位移传感器实用电路设计》PDF+DOC1997年第04期 李亦军,毛怀玉
《传感器》PDF+DOC 朱鹤翔
《一种光纤式数字塞规仪的设计》PDF+DOC2004年第02期 杨秀华,赵世平,廖俊必
《位置敏感传感器PSD在磁悬浮装置中的应用》PDF+DOC2003年第02期 尹春雷,李庆军,刘淑琴
《一种新型精密光纤位移传感器》PDF+DOC2002年第04期 李志全,朱丹丹
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《基于涡流位移传感器的轴间轴承温度非接触测量》PDF+DOC2006年第04期 刘苏亚,赵俊宏,许冬冬
本文设计了用于超精密加工技术的具有亚毫微米分辩率的超精密光电位移传感器。这种传感器的设计原理是:当被测表面有一微小位移时,其表面的反射光在某一特定点的光强变化具有很高的灵敏性。该传感器由单一光源、被测物及参考表面、用于反射光传输的光纤束和光电二极管等构成。实际测量时,通过光纤束传输的单一光源的光照射枝测物表面和参考表面,两表面的反射光又通过光纤束传输到两个独立但等同的光电二极管上,通过差动放大器,光电二极管给出包括反射光全部信号在内的高灵敏度位移信号。这种传感器在性能上具有某些显著的特点,如:非接触测量、0.5nm的高分辩率、线性误差在5%以内的约30μm宽的工作范围,以及可以充分满足一定研究目的的每20秒仅漂移1nm的稳定性。
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