作者：黄强,李智民 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1987年第Z1期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1987Z10330 DOC编号：DOCCGQJ1987Z10339 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文报导的PVC膜硝酸根半导体传感器(简称NO_3~--ISFET)是在场效应晶体管的绝缘栅上制作一层对硝酸根离子敏感的PVC膜。其敏感膜以乙基紫—NO_3~-缔合物为电活性物质。制作工艺简单，响应时间快，易集成化，稳定性和重现性都很好，有利于推广应用。 这种传感器的制造是采用集成电路工艺制

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