作者：武蕴忠,孙承龙,徐梅芳 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1987年第Z1期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1987Z11230 DOC编号：DOCCGQJ1987Z11239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文研制的薄膜铜电阻温度传感器具有如下性能：测温范围：-50～+150℃，最大非线性度&lt；0.5％，电阻温度系数4150&#177；20ppm℃~(-1)，响应时间&lt；0.5s。 制备薄膜铜电阻温度传感器的工艺流程如下：抛光硅片(p型或n型)清洗→热氧化→

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