作者：胡坐春 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1989年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1989050100 DOC编号：DOCCGQJ1989050109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为了减少压力灵敏度偏差，已用阳极氧化自停腐蚀工艺制造了硅膜压力传感器。在肼水溶液中采用自停腐蚀工艺，精确地控制了膜的厚度。p型压阻元件是用硼离子注入在(100)晶向的n型外延层上制造的，在n/p硅外延片的n型层上加5V正电压，则厚的p型衬底就被腐蚀掉，腐蚀停止后，一层薄的n型膜被留下了。膜的尺寸为1mm&#215；1mm，厚度是20&#177；2μm，晶片之间的压力灵敏度偏差小于20％。

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