作者：杨玉勤 单位：中国兵器工业第二一0研究所 出版：《》 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDBQ1985030180 DOC编号：DOCXDBQ1985030189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一、半导体红外传感器的发展概述半导体红外传感器如表1所示，可分为三代，即单元件，一维阵列，二维阵列。然而美国等国则把一维阵列以前的统称为第一代，二维阵列传感器称为第二代。现今一维阵列(包括一维)以前的红外传感器已达到实用水平。二维阵列传感器是目前研制的中心课题。根据材料、工作原理对半导体红外传感器的分类情况如表2所示。表2中的光导型传感器使用HgCdTe材料，光伏型传感器使用HgCdTe和InSb等材料，MIS(金属-绝缘体-半导体)型传感器使用HgCdTe和InSb等材料。非本征型一

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