作者：李汉文 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》1987年第03期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ1987030120 DOC编号：DOCHWYJ1987030129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文描述了适用于16.9mm(2/3英寸)规格的一种488&#215；590元列间转移电荷耦合器件(CCD)传感器。这种传感器采用了三种 p 阱(浅层阱、中层阱和深层阱)来抑制起晕和弥散。浅层 p 阱组合有光电二极管，并且为抑制起晕而完全耗尽；中层p 阱做 CCD 移位寄存器，并且为抑制弥散而完全耗尽；深层 p 阱做输出电路，并为 MOS 管的稳定操作而不完全耗尽。在10%的垂直高度光照时，起晕信号和在波长为550nm 时的光照信号一样小，为-73dB。此外，这种传感器采用 n~+-n~--p 光电二极管，以减少光谱响应随信号电荷存储的变化。

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