作者：齐薇佳,鲍敏杭,于连忠 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1988年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX1988040140 DOC编号：DOCBDTX1988040149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 横向电压型压力传感器的几何形状与霍尔器件相同因此也存在有磁敏性.本文用弱场近似的统计理论导出了非均匀掺杂薄层的霍尔电势表式，理论计算与实验结果相当一致.最后，介绍了一种实际上能完全消除磁场对压力传感器影响的方法，得到了很好的结果。

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