作者:宁建华,朱秉升 单位:航天材料及工艺研究所 出版:《宇航材料工艺》1992年第06期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYHCG1992060020 DOC编号:DOCYHCG1992060029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文介绍了作者采用半导体IC平面工艺技术,成功地研制出了超微粒SnO_2薄膜器件,并对该器件的氧气敏感特性作了研究,得到了该器件的主要特性参数。对其灵敏度特性曲线的研究表明:该器件不仅对低浓度氧气敏感,而且对高浓度氧气也敏感;并得到了超微粒SnO_2薄膜器件灵敏度特性所遵循的客观规律,即logR_s=0.72logC+0.85。

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