《基于180nm COMS工艺的低功耗温度传感器电路设计》PDF+DOC
作者:林卓彬,杨华
单位:东南大学
出版:《电子器件》2016年第05期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZQJ2016050240
DOC编号:DOCDZQJ2016050249
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为降低温度传感器的功耗,提出一种结构简单的片上温度-频率转换器电路。该转换器能够根据与绝对温度成比例PTAT(Proportional To Absolute Temperature)的电流检测出温度,利用源极耦合多谐振荡器电路,将温度等效PTAT电流转换成频率。提出的电路采用标准180 nm CMOS技术设计,面积约为0.061 mm~2。通过多次实际测量,结果显示:当电源电压为0.8 V±;10%时,该温度传感器能够在-43℃~+85℃的温度范围内良好工作,并且经过单点校正之后,最大温度误差小于±;1℃。当电源电压为0.8 V时,+85℃条件下的平均功率损耗仅为500 n W。
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