作者：林成鲁,邢昆山,陈莉芝,许学敏,谭松生,邹世昌 单位：中国光学学会;中国科学院上海光学精密机械研究所 出版：《中国激光》1990年第07期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJJZZ1990070080 DOC编号：DOCJJZZ1990070089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以CW Ar~+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10&#215；40μm~2，杂质分布均匀，电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。

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