作者：毛干如,朱秀文,谢页飞,石争 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》1988年第04期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ1988040190 DOC编号：DOCGTDZ1988040199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文叙述一种新型的压力传感器——多晶硅压阻式压力传感器。这种传感器以单晶硅为衬底材料，多晶硅电阻条构成惠斯通桥路，二者之间用介质隔离。器件的背面通过对单晶硅的腐蚀制成应力腔。与单晶硅器件相比，这种器件最突出的优点是不用pn结隔离，因而可把工作温限由130℃提高到200℃。通过对多晶硅生长条件及掺杂的控制，可望得到温度系数近似为零的器件。初步实验证明，多晶硅压阻式压力传感器很有应用前景。

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