作者:M.Paramcswaran,H.P.Baltes,孙国梁 单位:东南大学 出版:《电子器件》1990年第01期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ1990010170 DOC编号:DOCDZQJ1990010179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文提出了用双层多晶CMOS工艺来设计和制造湿度控制的多级振荡器.为电路所集成的一部分的温度传感头其结构为叉指状多晶硅电容结构.通过对标准版图的适当调整,便可实现传感器与CMOS工艺的兼容。

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