作者：石争,毛赣如 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1990年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1990060020 DOC编号：DOCCGQJ1990060029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文对多晶硅电阻的温度系数进行了研究，随着掺杂浓度的增大，多晶硅电阻的温室系数从负值变到正值。实验结果可用Seto模型进行解释。

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