《硅的等离子体深腐蚀》PDF+DOC
作者:C.D.Fung
,T.R.Linkowsk
,袁璟
单位:东南大学
出版:《电子器件》1991年第01期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDZQJ1991010110
DOC编号:DOCDZQJ1991010119
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湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都
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