《温控晶闸管导通温度的设计》PDF+DOC
作者:石仲斌,方大卫
单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)
出版:《固体电子学研究与进展》1992年第01期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGTDZ1992010160
DOC编号:DOCGTDZ1992010169
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本文从温控晶闸管结构模型出发,建立一组相应的方程,获得了温控晶闸管导通温度与离子注入剂量的关系。通过精确控制离子注入剂量,器件可以获得预期的导通温度。
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