作者： 单位：中国航天科技集团102所;中国航天科工集团公司二院203所 出版：《宇航计测技术》1990年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYHJJ1990020070 DOC编号：DOCYHJJ1990020079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 894328 新颖的多晶硅温度传感器[刊，英]/Ling，E…∥Sensors and Actuators.1989.16(3)：225～234制成了在300～900℃温度范围内确定无掺杂多晶硅层的电阻温度变化特性的检测装置。与单晶硅的1.18eV 相比，Arrhenins 结构产生一1.28eV 的激活能。这表明此1.28eV 与用于晶界传导的激活能相对应。所以无掺杂多晶硅的温度特性取决于与晶界相关的激活能。

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