《基质培水分传感器埋设位置对温室番茄生长特性的影响》PDF+DOC
作者：曹少娜,李建设,高艳明,吴素萍,李娟
单位：水利部中国农科院农田灌溉研究所;中国水利学会;中国国家灌溉排水委员会
出版：《灌溉排水学报》2016年第09期
页数：6页 （PDF与DOC格式可能不同）
PDF编号：PDFGGPS2016090080
DOC编号：DOCGGPS2016090089
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为研究实时控制灌溉系统的基质培水分传感器埋设位置对温室番茄生长特性的影响，以番茄圣尼斯红果7846为试验材料，采用随机区组试验设计，即将水分传感器距滴头水平距离(5、10、15 cm)和距滴头垂直距离(10、15 cm)结合后埋设，分析了不同处理对番茄的生长指标、光合指标、品质、产量、干物质及灌溉指标的影响。结果表明，T3处理(距滴头水平距离10 cm，距滴头垂直距离10 cm)生长指标较好，根系发达，根冠比最大，净光合速率较高，蒸腾速率较小，干物质积累最多，果实VC量显著高于其他处理。T4处理(距滴头水平距离10 cm，距滴头垂直距离15 cm)净光合速率和光能转化率均最高，糖酸比较高，但是，T4处理水分生产效率显著低于T3处理。综合分析，基质培水分传感器距滴头水平距离10 cm，距滴头垂直距离10 cm埋设较合理。
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