《化学量传感器》PDF+DOC
作者:武世香,虞惇,王贵华
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1990年第04期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ1990040160
DOC编号:DOCCGQJ1990040169
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种新型多反射栅声表面波化学量传感器的研究》PDF+DOC2000年第06期 董永贵,程卫东,王生江,冯冠平
《ISFET的设计制造和封装技术》PDF+DOC1995年第02期 唐国洪,陈德英
《Ag~+ -ISFET传感器的研制》PDF+DOC1990年第02期 祁增芳,刘俊华,牛文成
《化学量传感器》PDF+DOC1991年第06期 虞惇,王贵华,武世香
《化学量传感器》PDF+DOC1990年第05期 武世香,虞惇,王贵华
《扩散硅压力传感器》PDF+DOC1983年第01期 彭斯福
《电子辐照导致CMOS图像传感器性能退化》PDF+DOC2018年第04期 马林东,郭旗,李豫东,文林,冯婕,张翔,王田珲
《化学量传感器》PDF+DOC1990年第06期 武世香,虞惇,王贵华
《高密度固态图象传感器》PDF+DOC1988年第12期 鲁尔巍
《钯栅MOS氢敏传感器稳定性的研究》PDF+DOC1987年第Z1期 刘仲明
三、pH-ISFET的设计与制作 (一)pH-ISFET的设计原则 pH-ISFET的设计原则与普通MOS-FET基本相同,后者已是较为普及的知识,故此处着重讨论pH-ISFET设计中需特殊考虑的问题。 1.材料选择 材料选择包括材料的导电类型、电阻率、晶向等方面。器件电学参数的要求则是选择的依据。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。