作者：万吉高,黎鼎鑫,张玮 单位：中国有色金属学会;昆明贵金属研究所 出版：《贵金属》1992年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGJSZ1992030010 DOC编号：DOCGJSZ1992030019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以氧化锡为基体材料的气敏元件，在500～900℃下烧结，元件对一氧化碳的灵敏度、元件电阻等都有很大影响。经X-射线光电能谱分析表明：掺有不同添加荆的氧化锡中Sn-3d电子的结合能比纯二氧化锡中相应的值低0.40eV，产生了更多的氧空位，烧结温度的高低对氧空位的浓度也有影响。由于Sn-3d电子结合能的变化，导致材料表面能带弯曲，从而影响元件的电阻。分析表明；氧化锡气敏材科中氧空位浓度对元件的气敏特性会产生重要的影响。

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