《利用SOI材料提高触觉传感阵列的性能》PDF+DOC
作者:吕世骥,黄庆安,童勤义,袁璟
单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会
出版:《Journal of Semiconductors》1991年第11期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTX1991110060
DOC编号:DOCBDTX1991110069
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利用半导体材料、平面工艺和微机械加工研制触觉传感器是当前触觉传感器研究开发的一个重要方面,其中硅膜片电容式触觉传感阵列则是在研究中被广泛采用的结构.然而,触觉传感阵列的性能常受到微机械加工精度的限制.为了提高电容式触觉传感阵列的性能,本工作以SOI材料中异质结界面作为深槽腐蚀中腐蚀自停止界面,以提高硅膜片的表面平整度和厚度均匀性.在此基础上研制了 16×;16硅膜片电容式触觉传感阵列,得到了较好的结果。
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