作者：林海安,吴冲若,邱洁真 单位：中国科学院电子学研究所;国家自然科学基金委员会信息科学部 出版：《电子与信息学报》1993年第06期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZYX1993060150 DOC编号：DOCDZYX1993060159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制：(1)氧吸附(作电子受主)和脱附，(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附，(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应的影响。

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