《薄膜型敏感元件近况简介》PDF+DOC
作者:张桂成
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》1991年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS1991020100
DOC编号:DOCCGJS1991020109
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薄膜材料的研究为许多领域提供了新颖的功能材料,发展了新型的功能器件。本文旨在着重介绍近年来薄膜型压力、温度、光敏、色敏、磁敏的国内外研究与开发现状。 1 薄膜型压力敏感元件 1.1 多晶硅、微晶硅压力敏感元件 国外,美国威斯康森大学在有预设氧化隔离层的硅衬底上,采用LPCVD技术淀积微晶粒多晶硅膜,制成压敏电阻。由于器件是全硅结构,消除了膨胀系数不同的影响,在工艺上取消了正反面对准和KOH腐蚀;以薄膜技术,得到严格的尺寸容差,并已研制出具有12×;12阵列、量程为一个大气压的器件。
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