《多层结构ISFET传感器特性的研究》PDF+DOC
作者:祁增芳,余剑平
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《半导体技术》1990年第01期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTJ1990010020
DOC编号:DOCBDTJ1990010029
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本文着重研究了Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/SiO_2、Ta_2O_5/Si_3N_4/SiO_2、Ta_2O_5/NAS/Si_3N_4/SiO_2等多层介质结构H~+-ISFET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讨论。
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