作者：陈昭佑,朱万群 单位：中国家用电器研究院 出版：《家电科技》1990年第02期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJYDQ1990020100 DOC编号：DOCJYDQ1990020109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文所述室温下工作的超高灵敏度磁敏感器件，是国外最近开发的超晶格霍尔元件。霍尔元件工作原理如图1所示。将半导体置于均匀磁场中，输入电流Iin，在垂直于电场和磁场的方向上会产生一霍尔电压V_H。以长L、宽W、厚t长方体-N型半导体元件为例： V_H=&#183；K_HBIin =(W/L)μ_HBVin 式中，B—磁感应强度；μ_H—载流子(霍尔)迁移率；K_H—霍尔器件灵敏度。

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