作者:陈克铭,李国花,陈朗星,李夏,朱燕 单位:中国微米纳米技术学会;东南大学 出版:《传感技术学报》1993年第04期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGJS1993040030 DOC编号:DOCCGJS1993040039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究》PDF+DOC1994年第06期 陈克铭,李国花,陈朗星,朱燕 《基于ISFET的生物传感器研究进展》PDF+DOC2005年第03期 曾磊,王建业,孙晓翔,杨秋冬,黄宜平 《离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展》PDF+DOC2007年第06期 张彩霞,马小芬,申霖,邓家春,华玉林,印寿根 《基于ISFET的阿托品传感器的研究》PDF+DOC 李先文,杨伯伦 《H~+-ISFET传感器及其工作特性研究》PDF+DOC2004年第05期 张玉海 《基于ISFET的克咳敏传感器的研究》PDF+DOC2002年第03期 罗文谦,李先文 《氟离子敏场效应管的研制》PDF+DOC2002年第09期 张虹,韩泾鸿 《CMOS兼容的ISFET传感器模型和测量电路研究》PDF+DOC2007年第02期 王阳,刘高平,郭锋,尹湘源 《基于DSP的新型pH值和离子浓度测量控制系统》PDF+DOC2007年第04期 王春芳,王世伟 《新型pH值和离子浓度测量仪的研制》PDF+DOC2007年第01期 张宁,王春芳
  • 本文用实验证实了氮化硅敏感膜表面存在OH~-羟基和NH_2氨基团.指出了氢离子FET传感器不稳定的主要原因:敏感膜表面和溶液中羟基团的活跃性;被测溶液OH~-羟基因及其pH值随时间而变化,敏感膜固/液两相界面势的变化.还证实了氢离子敏FET传感器长期不稳定性与氮化硅敏感膜沉积工艺有关.通过调整或控制敏感膜表面或界面上羟基和氨基因及其比率,可以解决氢离子敏FET的长期稳定性。

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