《ISFET传感器不稳定性的起因及其改善技术研究》PDF+DOC
作者:陈克铭,李国花,陈朗星,李夏,朱燕
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》1993年第04期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS1993040030
DOC编号:DOCCGJS1993040039
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本文用实验证实了氮化硅敏感膜表面存在OH~-羟基和NH_2氨基团.指出了氢离子FET传感器不稳定的主要原因:敏感膜表面和溶液中羟基团的活跃性;被测溶液OH~-羟基因及其pH值随时间而变化,敏感膜固/液两相界面势的变化.还证实了氢离子敏FET传感器长期不稳定性与氮化硅敏感膜沉积工艺有关.通过调整或控制敏感膜表面或界面上羟基和氨基因及其比率,可以解决氢离子敏FET的长期稳定性。
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