《硅扩散型半导体传感器光刻掩模设计》PDF+DOC
作者:曹洪倩
单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版:《半导体技术》1992年第01期
页数:7页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTJ1992010080
DOC编号:DOCBDTJ1992010089
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本文从单晶硅材料的某些性质和压阻原理出发,对硅扩散型半导体压力传感器的光刻掩模版设计进行了较为全面地探讨,从而提出五种方案。文中还指明了某些使用条件下的最佳方案。
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