《采用p型埋层CMOS工艺制备线性磁场传感器》PDF+DOC
作者:邵传芬
单位:航天科技集团公司九院七七一所
出版:《微电子学与计算机》1992年第08期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFWXYJ1992080010
DOC编号:DOCWXYJ1992080019
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介绍一种新型的线性磁场传感器。其结构为横向双基极、双集电极晶体管,器件对磁场呈线性响应。在弱磁场下,其相对灵敏度达105.17%/T,在低负载电阻(500Ω)下,其绝对灵敏度达3.78V/T。
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