作者：胡绪洲 单位：云南大学 出版：《云南大学学报(自然科学版)》1993年第04期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYNDZ1993040090 DOC编号：DOCYNDZ1993040099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 用二氧化锆、二氧化硅、磷酸和其它掺杂剂制作各种半导瓷湿度传感器。电导的加强是依靠水的吸附和毛细凝聚。随着相对湿度逐步从5％增大到100％，在20℃和1kHz时，阻抗由2&#215；10~8Ω减小到2&#215；10~3Ω。电阻随湿度改变的响应时间在5s以下，为了降低多元氧化物半导瓷的阻抗，研究了多孔瓷体中掺杂纯金属或金属氧化物的效果，对一种最简单的制作半导瓷湿度传感器的方法作了具体介绍。推导了半导瓷湿度传感器的通用的阻抗—湿度特性方程式，并且用以计算一些实际样品的阻抗—湿度特性曲线，获得理论结果同实验测量之间互相一致。

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