《半导体集成辐射传感器基本原理的研究》PDF+DOC
作者:王域
单位:山东省科学院
出版:《山东科学》1993年第04期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFSDKX1993040020
DOC编号:DOCSDKX1993040029
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本文首次提出一种新型辐射传感器——半导体集成辐射传感器,并对它的基本原理作了系统的分折和研究。最后导出:辐射照度E与半导体温度集成镜象对管结电压差值的改变量△(△VBE)线性关系式。本文可以作为研制半导体集成辐射传感器的理论依据。
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