作者：H·J·Krees,吴海新 单位：中国航天科技集团公司第七O四研究所 出版：《遥测遥控》1992年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYCYK1992010130 DOC编号：DOCYCYK1992010139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 本文介绍一种芯片上带有信号调节功能的硅压力传感器。制作时，在标准的3μmCMDS工艺过程中加入了微机械加工工艺，利用带电化学阻蚀剂的各向异性腐蚀技术，在(100)取向硅片上进行腐蚀。控制膜片厚度，使厚度容差小于0.5μm。在同一膜片上，集成了完整的CMDS测量电路。带压阻元件的惠氏电桥的输出信号由一个仪器放大器放大。该放大器的放大率和温度有关，以便补偿灵敏度随温度的变化。另外，灵敏度本身的变化、偏置和偏置随温度的变化亦予以补偿。芯片还具备微调功能，以便在-40～+125℃范围内对所述各参数进行调节。

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