作者：张维新,楼利民,毛赣如 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》1993年第09期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX1993090100 DOC编号：DOCBDTX1993090109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍了一种新颖的集成三漏CMOS磁敏传感器。报道了该传感器的电路原理、版图设计及其研制结果。它具有结构简单、磁灵敏度高和使用方便等特点，且制造工艺与标准铝栅CMOS工艺完全兼容，成本低、易于批量生产，具有高的性能/价格比。

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