作者：刘昆,黄俊钦,程先安,顾其华 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》1991年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS1991030080 DOC编号：DOCCGJS1991030089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍的是文献[1]的第二轮研制工作，包括：①用射频溅射非晶态NiSiB薄膜应变片的制备新工艺；②敏感弹性元件的设计；③薄膜压力传感器的构造与性能。 虽然，NiCrMe合金、Ta_2N合金等性能较好且已有应用，但是，我们仍采用非晶态的NiSiB的合金。原因在：它的电阻变值与所受应变值间线性关系范围宽，最大静态应变可达10~(-2)；应变灵敏系数为2～3；电阻温度系数在210℃以下仅(0～6)&#215；10~(-6)K~(-1)；电阻率达153μΩ&#183；cm；耐腐蚀、顺磁性，所以它是一种较为理想的薄膜应变片材料。

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