作者：陈德英 ,唐国洪 ,周天舒 ,刘开宇 单位：东南大学 出版：《电子器件》1992年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ1992020010 DOC编号：DOCDZQJ1992020019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文介绍了一种背面接触引出的ISFET型PH传感器的结构设计、工艺制备、封装技术和测试结果。这种结构的优点是提高了传感器的可靠性和寿命。

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