《非晶硅薄膜色敏元件及传感器》PDF+DOC
作者:李工
单位:机械工业信息研究院
出版:《电气应用》1992年第03期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDGJZ1992030240
DOC编号:DOCDGJZ1992030249
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非晶硅薄膜色敏元件是采用等离子CVD工艺制造的一种高性能的色敏元件,以该元件研制的色度传感器灵敏度高,重复性好,下面介绍该元件的结构、制造、工作原理、特点、功能和用途。本色敏元件采用PIN结构,P层采用掺杂碳的工艺作成碳化非晶硅,即为TCO/P-a-SiC∶H/I-a-Si∶H/N-a-Si∶H/Al结构。PIN各层厚度分别为10~12nm、40~50nm、400~500nm,透明导电膜(TCO)采用SnO_2膜,背面蒸AI为引线电极,元件结构示于图1。
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