作者：项兴荣 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》1990年第06期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ1990060130 DOC编号：DOCBDTJ1990060139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用pn结隔离技术制作的硅单晶压阻力敏传感器，因工作温度范围为-40～+80℃，使其在一些特殊高温环境(汽车电子、采油业等)中的应用受到限制。采用介质隔离的蓝宝石力敏传感器，工作温度特性得到了改善，国外业已商品化，国内虽已研究多年，但由于工艺复杂，成本高，加之难度大而仍未进入应用阶段。

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