《具有500倍过压保护能力的单晶硅压力传感器》PDF+DOC
作者:牟军
单位:北京长城航空测控技术研究所
出版:《测控技术》1991年第01期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFIKJS1991010170
DOC编号:DOCIKJS1991010179
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典型的具有单晶硅膜片的普通硅压阻式压力传感器,通常压力要限定在远小于10倍满量程压力以下。而我们制造了一批传感器,它在膜片下使用一个静止的表面,可使传感器耐受了大于500倍以上的满量程压力。这些传感器采用单晶硅材料,用烧结工艺制成。在低压下硅芯片的灵敏度可高达3mV/V·;psi(3mV/V·;6.89kPa≈0.435mV/V·;1kPa)。已设计出在10psi压力下输出为100mV的传感器,能耐受住5000psi
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