作者：P.Kopystynski,E.Obermeier,林正强 单位：中国航天科技集团公司第七O四研究所 出版：《遥测遥控》1990年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYCYK1990030180 DOC编号：DOCYCYK1990030189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 该文介绍硅压阻式压力传感器。利用多晶硅电阻元件补偿温度影响，该传感器工作范围广，有互换性，兼具多种优点。掺入硼杂质，调节温度系数和灵敏度等重要参量。硅片处理包括615℃时用LPCVD法形成多晶硅；两次掺硼；950℃氮中老化30分钟；湿法制作图案。给出特性参数。工作温度-30～+125℃，满刻度输出7.5mV/V。

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