作者：D.L.POLLA ,RICHARD S.MULLER ,RICHARD M.WHITE ,石广源 单位：航天科技集团公司九院七七一所 出版：《微电子学与计算机》1990年第08期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWXYJ1990080170 DOC编号：DOCWXYJ1990080179 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 已制成能同时测量物理和化学变量的多用途集成传感器芯片，该芯片尺寸为8&#215；9mm~2，芯片上除含有作为信号调节、矩阵存取和输出缓冲的常规MOS 器件外还包含下列传感器：气体流量传感器、红外传感器阵列、化学反应传感器、悬臂梁加速计、表面声波蒸汽传感器、触觉传感器阵列和红外电荷耦合器件摄象器.这个芯片的多传感功能利用了ZnO 薄膜的热电和压电效应.该蕊片的制造采用了常规的3μm NMOS 硅工艺与硅的微机械加工技术相结合.本文还叙述了相容的制造技术和传感器的性能。

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