作者：朱秀文,张维新,毛干茹,宫丽文 单位：天津大学 出版：《天津大学学报(自然科学与工程技术版)》1992年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFTJDX1992030190 DOC编号：DOCTJDX1992030199 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以各向异性腐蚀技术制造的矩形硅膜片为弹性敏感元件，研制了硅压阻式低压传感器。通过对矩形硅膜上应力分布的分析和计算，确定了力敏电阻的最佳位置和尺寸。压敏电阻全桥采用集成电路技术制作在2.5mm&#215；5.5mm、厚35μm的矩形硅膜片上。在0～20kPa压力范围内，测得577μV/kPa&#183；V的灵敏度，理论和实验结果有较好的一致性。

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