作者：段振新 单位：黑龙江省化工研究院 出版：《化学工程师》1991年第04期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHXGC1991040200 DOC编号：DOCHXGC1991040209 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 1 概要硅压敏电阻传感器在运输和工业控制中已经成为主要探测元件。在开发高性能仪器方面，它的作用越来越大。然而，这种传感器探测结果的准确度与温度有关。这种温度特性使其在实际应用中受到了限制。在当前所用的硅压敏电阻传感器中，对压力灵敏度都进行了温度补偿。在制造过程中己经在片子上做了晶体管补偿电路，这样就大大改善了硅压敏电阻传感器受温度的影响，但对失调电压的漂移研究很少。对失调电压进行温度补偿需要复杂的外部电路，失调电压随温度变化的幅度因不同的传感器而有很大的不同，所以失调电压的补偿是很复杂

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