作者:吴原 单位:东南大学 出版:《电子器件》1990年第02期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ1990020140 DOC编号:DOCDZQJ1990020149 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本工作提出的具有频率输出的硅压力传感器是建立在CMOS环形振荡器基础上的,该环形振荡器是放置在传感器芯片的薄膜上的.由于压力压阻效应,施加的压力在薄膜上产生的机械应力改变了环形振荡器中MOSFET载流子的迁移率,从而MOSFET的漏电流及相应的环振频率成为压力的函数。

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