作者：方育义 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1992年第05期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1992050180 DOC编号：DOCCGQJ1992050189 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 美国桑迪亚国家实验室的研究人员开发一项蚀刻硅，以形成微型传感器和其他器件的新制造法。 通常，这些三维结构的刻蚀是难以用普通的光刻工艺和化学蚀刻法进行精密控制的，因此蚀刻表面粗糙，而不是镜面或精整面。

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