《溴化银单晶半导体传感器的研制》PDF+DOC
作者:黄强,陈养民,姜志超
单位:中国仪器仪表学会
出版:《化学传感器》1992年第02期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFHXCH1992020040
DOC编号:DOCHXCH1992020049
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《溴化银单晶半导体传感器的研制》PDF+DOC1988年第02期 黄强
,陈养民
,姜志超
《秋水仙胚芽组织传感器研制》PDF+DOC1998年第01期 李于善
《硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄战龙,黄强
《药物敏感场效应晶体管测定丁氯喘片剂含量》PDF+DOC1998年第06期 李先文,黄西潮,黄强
《一次性丁氯喘半导体传感器的研究》PDF+DOC1997年第04期 黄西潮,李先文,黄强,黄战龙
《半导体传感器在中国的研究和发展》PDF+DOC1997年第S1期 李先文
,黄强
《小檗碱敏感场效应晶体管的研制与应用》PDF+DOC 李先文,黄强
《晶体膜碘离子半导体传感器的研究》PDF+DOC1990年第03期 黄强,方培生
《氯酸根离子敏感化学传感器的研究》PDF+DOC2003年第05期 黄战龙
《一次性V_(B_1)半导体传感器的研究》PDF+DOC2001年第03期 王大伟,黄西潮,刘亚强
我们研制的 AgBr 单晶溴离子敏感半导体传感器(简称 Br~--ISFET)它是在场效应晶体管的绝缘栅上制备一层 AgBr 单晶敏感层。这种传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长,且与一般溴离子选择电极比较,具有全固体化和易集成化等特点。特别是适应于生物、医学、航天、遥测和遥控等方面。该传感器经测试性能良好,其线性响应范围为:1.0×;10°;mol·;L~(-1)~1.0×;10~(-5)mol·;L~(-1)NaBr,灵敏度为:56mV/PBr~-,对溴离子的检测下限为:5.0×;10~(-6)mol·;L~(-1)NaBr。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。