作者：张维连 单位：北京京仪仪器仪表研究总院有限公司 出版：《仪器仪表与分析监测》1990年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQYB1990020160 DOC编号：DOCYQYB1990020169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《提高方形硅膜压力传感器灵敏度的几个重要措施》PDF+DOC1992年第03期 冯景星 《基于多孔PDMS/MWCNTs的柔性压力传感器》PDF+DOC2020年第04期 汪海船,毛沛楠,吕宏伟,彭慧玲 《基于Ag/CNTs-PDMS的高灵敏度柔性压力传感器研制及性能测试》PDF+DOC2019年第03期 赵秀华,徐伟,易旺民,彭倚天 《多晶硅压力传感器》PDF+DOC1996年第03期 张维新,毛赣如,姚素英,曲宏伟 《压阻式压力传感器灵敏度特性分析》PDF+DOC1996年第04期 沈桂芬,王正荣 《半导体动态传感器》PDF+DOC1989年第05期 杜宗华 《压力传感器》PDF+DOC1986年第04期 松岡祥隆 ,保川彰夫 ,宋尔纯 《电子秤的制作与校准实验》PDF+DOC 戴玮,段天权,刘欣 《一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计》PDF+DOC2011年第01期 王大军,李淮江 《关于硅应变计压力传感器的灵敏度的试验》PDF+DOC2014年第07期 阮炳权,严平

    • 一、前言自1954年Smith等人研究了半导体Ge和Si的压阻效应以来，压阻效应就在压敏元件中得到了实际应用。由于半导体压力传感器灵敏度高、体积小，特别是80年代后硅集成电路工艺技术的发展，使以硅为衬底材料的硅扩散型压力传感器得到了惊人的发展。硅压力传感器是用途最广的传感器之一。目前大多都是采用半导体扩散技术制造应变计(应变电阻)，称为扩散型硅压力传感器。由硅单晶衬底制成的膜片作为感压膜，它与应变电阻为一体结构，因此蠕变和滞后现象都很小，精度高。硅压力传感器可以与硅集或电路制造在同一衬底上组成集成型硅

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