《催化剂在MOS气敏传感器中的作用》PDF+DOC
作者:易惠中
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》1991年第01期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS1991010080
DOC编号:DOCCGJS1991010089
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1 概述 MOS气敏传感器是在含氧丰富的空气中使用的,在MOS表面存在吸附氧。温度不同,MOS表面吸附氧的形态也不同。例如,SnO_2表面的吸附氧有三种形态:常温~150℃吸脱附的α氧(O_2、O_2~-),400~500℃分解的化学吸附β氧(O~-)以及晶格中的离子氧(O~(2-)),构成升温脱附谱。 β氧的脱附将导致电导变化二个数量级;β氧与还原性气体反应,将得到还原性特强的产物,将电子释放给导带,让气体产物脱附:
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